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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利真空键合设备和真空键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121511009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610043532.6，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权真空键合设备和真空键合方法是由庞帅;王莎;高智伟;母凤文设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本真空键合设备和真空键合方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体键合技术领域，公开一种真空键合设备和真空键合方法。真空键合设备包括第一键合模组和第二键合模组，第一键合模组的第一压头设置于第一真空腔室内；第二键合模组的安装基板能够与压机的输出端连接，波纹管的一端与安装基板或压机输出端连接，波纹管的另一端与第二真空腔室的顶壁连接，第二压头配置于第二真空腔室内，传力柱的一端与安装基板或压机输出端连接，传力柱的另一端依次穿设于波纹管和第二真空腔室的顶壁并与第二压头连接；压机能够带动第二键合模组沿第一方向靠近第一键合模组。本发明键合腔室结构紧凑，易维持真空度与洁净度，能满足半导体材料间高精度对准键合。

本发明授权真空键合设备和真空键合方法在权利要求书中公布了：1.真空键合设备，其特征在于，包括： 第一键合模组1，包括第一压头11和具有开口的第一真空腔室12，所述第一压头11设置于所述第一真空腔室12内； 第二键合模组2，包括安装基板21、具有开口的第二真空腔室22、波纹管23、传力柱24和第二压头25，所述安装基板21能够与压机3的输出端连接，所述波纹管23的一端与所述安装基板21或所述压机3的输出端连接，所述波纹管23的另一端与所述第二真空腔室22的顶壁连接，所述第二压头25配置于所述第二真空腔室，所述传力柱24的一端与所述安装基板21或所述压机3的输出端连接，所述传力柱24的另一端依次穿设于所述波纹管23和所述第二真空腔室22的顶壁并与所述第二压头25连接；所述压机3能够带动所述第二键合模组2沿第一方向靠近所述第一键合模组1，以使所述第二真空腔室22与所述第一真空腔室12扣合并围设形成真空腔体，所述第二压头25在真空环境中沿所述第一方向压向所述第一压头11。

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