成都高真科技有限公司李宰赫获国家专利权
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龙图腾网获悉成都高真科技有限公司申请的专利半导体薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224001498U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520606799.2，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型半导体薄膜沉积设备是由李宰赫设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体薄膜沉积设备。本实用新型中的半导体薄膜沉积设备包括反应腔体和真空系统，反应腔体的内部设置有多个晶圆支撑平台，反应腔体的底部设置有多组抽气口，抽气口和反应腔体的内部连通，每组抽气口和一个晶圆支撑平台对应设置，每组中的多个抽气口环绕晶圆支撑平台的周向设置；真空系统包括真空泵和多个真空管路，抽气口通过真空管路和真空泵连通，每个真空管路上均设置有节流阀，节流阀用于调节真空管路的抽气流量。本技术方案中的半导体薄膜沉积设备可以精确控制晶圆各区域的薄膜沉积厚度。
本实用新型半导体薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体薄膜沉积设备，其特征在于，包括： 反应腔体100，所述反应腔体100的内部设置有多个晶圆支撑平台300，所述反应腔体100的底部设置有多组抽气口110，所述抽气口110和所述反应腔体100的内部连通，每组所述抽气口110和一个所述晶圆支撑平台300对应设置，每组中的多个所述抽气口110环绕所述晶圆支撑平台300的周向设置； 真空系统200，包括真空泵和多个真空管路210，所述抽气口110通过所述真空管路210和所述真空泵连通，每个所述真空管路210上均设置有节流阀211，所述节流阀211用于调节所述真空管路210的抽气流量。
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