广东芯智造半导体有限公司刘腾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉广东芯智造半导体有限公司申请的专利一种引线框架、封装结构、负载驱动芯片及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007090U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423307885.8，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种引线框架、封装结构、负载驱动芯片及电子设备是由刘腾飞;谢大盛;任仕鼎;邓金睿设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种引线框架、封装结构、负载驱动芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种引线框架、封装结构、负载驱动芯片及电子设备，引线框架包括：框架本体、第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛与第五基岛。所述第一基岛位于所述框架本体的中心位置，所述第一基岛用于封装单片机；所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛与所述第五基岛沿所述第一基岛的边缘分布，所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛与所述第五基岛用于封装MOS管。本实用新型提供的引线框架具有第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛与第五基岛，仅需要一个封装即可将单片机与MOS管合封在一起，相对于单独封装单片机与MOS管，成本较低。
本实用新型一种引线框架、封装结构、负载驱动芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种引线框架，用于封装单片机与MOS管，其特征在于，包括：框架本体、第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛与第五基岛；其中， 所述第一基岛位于所述框架本体的中心位置，所述第一基岛用于封装单片机； 所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛与所述第五基岛沿所述第一基岛的边缘分布，所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛与所述第五基岛用于封装MOS管； 所述第一基岛为十字型结构，所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛与所述第五基岛分别位于所述框架本体的四个角；所述第二基岛延伸有第一引脚；所述第三基岛延伸有第二引脚；所述第四基岛延伸有第三引脚，所述第五基岛延伸有第四引脚；当引线框架与电路板实现连接时，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚与所述第四引脚与电路板上的铜箔实现连接，将MOS管产生的热量通过引脚导出至电路板。
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