深圳市福贝斯科技有限公司徐平德获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市福贝斯科技有限公司申请的专利一种沟槽型肖特基势垒二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007093U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520694468.9，技术领域涉及：H10W70/60；该实用新型一种沟槽型肖特基势垒二极管是由徐平德;李菊伦设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种沟槽型肖特基势垒二极管，涉及二极管技术领域，包括二极管本体，二极管本体外表面两侧的中部上下方均固定连接有外凸块，二极管本体的外侧设置有外限框，外限框的内部固定连接有插块，插块插接于两个外凸块之间，外限框的下端固定连接有底接套，底接套的下方设置有橡胶垫，本实用新型通过外凸块的设置，使外凸块的表面凸起，且两个外凸块之间形成沟槽，在使用时，可增加持握稳定性，通过外限框与橡胶垫的设置，对外限框进行支撑，可避免二极管本体受力时与引脚的接触区域出现损坏。
本实用新型一种沟槽型肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型肖特基势垒二极管，包括二极管本体1，其特征在于：二极管本体1外表面两侧的中部上下方均固定连接有外凸块10，二极管本体1的外侧设置有外限框3，外限框3的内部固定连接有插块8，插块8插接于两个外凸块10之间，外限框3的下端固定连接有底接套4，底接套4的下方设置有橡胶垫6。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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