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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010377178.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件和方法是由M.普法芬莱纳;J-G.鲍尔;F.D.普菲尔施;T.沙伊佩尔;K.施拉姆尔设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件和方法在说明书摘要公布了：功率半导体器件和方法。一种功率半导体器件包括具有至少一个功率单元的有源区，其中该有源区具有总体积，该总体积具有形成总体积的至少20%的中央体积；形成总体积的至少20%并且围绕中央体积的外围体积；以及形成总体积的至少5%并且围绕外围体积的最外面的外围体积。该功率半导体器件进一步包括围绕有源区的最外面的外围体积的边缘终端区；具有正面和背面的半导体本体；在半导体本体正面处的第一负载端子和在半导体本体背面处的第二负载端子；第一掺杂半导体区，其形成在半导体本体中并且与第一负载端子电连接；第二掺杂半导体区，其形成在半导体本体中并且与第二负载端子电连接。

本发明授权功率半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括： -具有至少一个功率单元1-1的有源区1-2，其中所述有源区1-2具有总体积，所述总体积具有： 中央体积1-21，其形成所述总体积的至少20%； 外围体积1-22，其形成所述总体积的至少20%，并且围绕所述中央体积1-21；以及 最外面的外围体积1-23，其形成所述总体积的至少5%，并且围绕所述外围体积1-22； -围绕所述有源区1-2的最外面的外围体积1-23的边缘终端区1-3，其中所述外围体积1-22具有距所述边缘终端区1-3的恒定的横向距离； -具有正面110和背面120的半导体本体10，其中所述半导体本体10形成所述有源区1-2的一部分和所述边缘终端区1-3的一部分二者； -在所述半导体本体正面110处的第一负载端子11和在所述半导体本体背面120处的第二负载端子12； -第一掺杂半导体区101，其形成在所述半导体本体10中，并且与所述第一负载端子11电连接； -第二掺杂半导体区102，其形成在所述半导体本体10中，并且与所述第二负载端子12电连接； 其中所述第一掺杂半导体区101和所述第二掺杂半导体区102中的至少一个沿着所述中央体积、所述外围体积和所述最外面的外围体积的横向延伸连续地延伸，并且具有 中央部分101-21；102-21，其延伸到所述有源区1-2的中央体积1-21中，并且具有中央平均掺杂剂剂量； 外围部分101-22；102-22，其延伸到所述有源区1-2的外围体积1-22中，并且具有外围平均掺杂剂剂量，以及 在所述最外面的外围体积内延伸的部分，其中 所述中央平均掺杂剂剂量比所述外围平均掺杂剂剂量低至少5%。

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