半导体元件工业有限责任公司刘明焦获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利半导体功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010806477.4，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权半导体功率器件及其制造方法是由刘明焦设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明题为“半导体功率器件及其制造方法”。本发明公开了一种器件，所述器件包括由未掺杂或轻掺杂半导体漂移区隔开的第一掺杂半导体区和第二相反掺杂的半导体区。所述器件还包括与所述第一掺杂半导体区形成欧姆接触的第一电极结构和与所述第二掺杂半导体区形成通用接触的第二电极结构。所述第二电极结构的所述通用接触允许电子和空穴两者流入和流出所述器件。
本发明授权半导体功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管器件，所述器件包括： 第一掺杂半导体区和相反掺杂的第二掺杂半导体区，所述第一掺杂半导体区和所述第二掺杂半导体区由未掺杂或轻掺杂半导体漂移区隔开； 第一电极结构，所述第一电极结构与所述第一掺杂半导体区形成欧姆接触； 第二电极结构，所述第二电极结构包括通用接触结构，所述通用接触结构与所述第二掺杂半导体区形成通用接触，所述通用接触允许电子和空穴两者流动，所述通用接触结构包括与所述第二掺杂半导体区接触且相互接触的至少一个P+掺杂半导体区以及至少一个N+掺杂半导体区， 其中所述第二电极结构还包括：金属或金属合金层，所述通用接触结构设置在所述金属或金属合金层与所述第二掺杂半导体区之间；和氧化物层，所述氧化物层设置在包括所述P+掺杂半导体区的所述通用接触结构的至少一部分与所述金属或金属合金层之间。
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