三星电子株式会社崔宰福获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011005023.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由崔宰福;安秀智;安容奭;李承炯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：衬底，沿第一方向顺序布置的单元区域、边界区域、外围区域；有源图案，在单元区域中沿第二方向延伸，第二方向相对于第一方向形成第一锐角；以及边界图案，在单元区域中且与边界区域直接相邻。边界图案包括沿第二方向延伸的第一侧表面和从第一侧表面沿第三方向延伸的第一边界表面，第三方向与第一方向垂直，且第一边界表面限定单元区域和边界区域之间的边界。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括沿第一方向顺序布置的单元区域、边界区域和外围区域； 有源图案，在所述单元区域中沿第三方向延伸，所述第三方向相对于所述第一方向形成第一锐角；以及 边界图案，形成在所述单元区域中并与所述边界区域直接相邻， 其中，所述边界图案包括沿所述第三方向延伸的第三侧表面和从所述第三侧表面沿第二方向延伸的第一边界表面，所述第二方向与所述第一方向垂直， 其中，所述第一边界表面限定所述单元区域和所述边界区域之间的边界，并且 其中，所述半导体器件还包括：第一元件隔离层，形成在所述单元区域中，以限定所述边界图案的所述第三侧表面和所述有源图案的侧表面；以及 第二元件隔离层，形成在所述边界区域中，以限定所述边界图案的所述第一边界表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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