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龙图腾网获悉派赛公司申请的专利低寄生电容射频晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112823418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980061754.9，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权低寄生电容射频晶体管是由阿比吉特·保罗;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;罗纳德·尤金·里迪设计研发完成，并于2019-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本低寄生电容射频晶体管在说明书摘要公布了：用于具有低寄生电容的晶体管的结构和制造方法，所述晶体管包括绝缘低介电常数第一处理晶片或第二处理晶片。在一个实施方式中，替代常规设计的硅衬底，使用单层转移技术来靠近SOI晶体管的金属互连层金属层堆叠定位绝缘LDC处理晶片。在另一实施方式中，使用双层转移技术来利用绝缘LDC衬底替代现有技术结构的硅衬底。在一些实施方式中，绝缘LDC处理晶片包括至少一个空气腔，所述至少一个空气腔降低了围绕RFFET的材料的有效介电常数。绝缘LDC处理晶片减少了插入损耗和非线性度，增加了隔离度，提供了堆叠晶体管的更理想的分电压，由于较低的耦合损耗而实现了更高的Q因子，并且另外减轻了各种寄生效应。

本发明授权低寄生电容射频晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 1包括第一表面和第二表面的硅有源层； 2靠近所述硅有源层的第一表面的一部分的第一绝缘层； 3形成在所述硅有源层中和或形成在所述硅有源层上的晶体管器件，所述晶体管器件包括源极和漏极； 4靠近所述硅有源层的第二表面的一部分的第二绝缘层； 5靠近所述第二绝缘层和所述晶体管器件的一组至少一个图案化金属互连层； 6靠近所述一组至少一个图案化金属互连层的第三绝缘层；以及 7绝缘低介电常数衬底，所述绝缘低介电常数衬底靠近所述第三绝缘层并且通过所述第二绝缘层和所述一组至少一个图案化金属互连层与所述硅有源层间隔开，所述绝缘低介电常数衬底包括相对于所述晶体管器件定位以减少所述晶体管器件的源极和漏极之间的电容耦合的至少一个空气腔， 其中，所述晶体管器件包括MOSFET，所述MOSFET包括形成在所述硅有源层中和或形成在所述硅有源层上的源极、主体、栅极和漏极，并且其中，所述MOSFET形成在硅岛的一部分内，所述硅岛形成在所述硅有源层的场氧化物区域内，并且所述半导体结构还包括用于所述MOSFET的导热结构，所述导热结构包括： a至少一个电隔离结构，所述至少一个电隔离结构形成在所述硅岛内，每个电隔离结构被定位成将所述硅岛的包含所述MOSFET的部分与所述硅岛的边缘部分电隔离，每个边缘部分位于所述MOSFET的横向方向上，但是每个边缘部分通过相应的电隔离结构热耦合至所述硅岛的包含所述MOSFET的所述部分； b层间介电层，所述层间介电层形成在所述至少一个电隔离结构中的至少一个上方； c至少一个热路径，所述至少一个热路径包括第一部分和第二部分，所述第一部分通过所述层间介电层与所述硅岛的相应边缘部分热接触，并且所述第二部分沿所述MOSFET的横向方向与所述硅岛的相应边缘部分间隔开，使得在正交的热通路不被所述MOSFET阻挡或者不会干扰所述MOSFET的情况下，所述第二部分能够耦合至所述正交的热通路，每个热路径与所述MOSFET电隔离；以及 d至少一个正交的热通路，所述至少一个正交的热通路热耦合至所述至少一个热路径中的相应一个的第二部分，并且所述至少一个正交的热通路被配置成将热从所述至少一个热路径中的相应一个传递至至少一个能够从外部接入的热焊盘。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人派赛公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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