日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113644044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110705317.5，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构，包括：第二线路层；第一线路层，通过多个凸块接合至第二线路层的顶面，第一线路层具有线路密集区和线路疏离区；通孔，穿过第一线路层的线路疏离区以将第一线路层电连接至第二线路层。本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以优化半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第二线路层； 第一线路层，通过多个凸块接合至所述第二线路层的顶面，所述第一线路层具有线路密集区和线路疏离区； 通孔，穿过所述第一线路层的所述线路疏离区以将所述第一线路层电连接至所述第二线路层， 其中，所述多个凸块位于所述线路密集区下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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