珠海越亚半导体股份有限公司陈先明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利一种切割封装基板单元的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110933983.4，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种切割封装基板单元的方法是由陈先明;谭洪卫;冯磊;黄本霞;洪业杰设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种切割封装基板单元的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种切割封装基板单元的方法，包括如下步骤：准备临时承载板；在所述临时承载板的至少一侧上形成第一线路层和铜柱层以及覆盖所述第一线路层和所述铜柱层的介电层，并减薄所述介电层以暴露出所述铜柱层，其中所述铜柱层包括牺牲铜柱和导通铜柱，所述牺牲铜柱位于切割道上且沿高度方向贯穿所述介电层，所述导通铜柱位于所述第一线路层上；在所述介电层的上表面上形成第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述导通铜柱导通连接；移除所述临时承载板；对所述第一线路层的表面进行蚀刻防护处理；在所述第二线路层上贴装器件；在所述介电层的上表面上施加保护层，以保护所述第二线路层、所述铜柱层和所述器件；蚀刻所述牺牲铜柱。
本发明授权一种切割封装基板单元的方法在权利要求书中公布了：1.一种切割封装基板单元的方法，包括如下步骤： a准备临时承载板； b在所述临时承载板的至少一侧上形成第一线路层和铜柱层以及覆盖所述第一线路层和所述铜柱层的介电层，并减薄所述介电层以暴露出所述铜柱层，其中所述铜柱层包括牺牲铜柱和导通铜柱，所述牺牲铜柱位于切割道上且沿高度方向贯穿所述介电层，所述导通铜柱位于所述第一线路层上； c在所述介电层的上表面上形成第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述导通铜柱导通连接； d移除所述临时承载板； e对所述第一线路层的表面进行蚀刻防护处理； f在所述第二线路层上贴装器件； g在所述介电层的上表面上施加保护层，以保护所述第二线路层、所述铜柱层和所述器件； h蚀刻所述牺牲铜柱； i沿所述切割道进行机械分离，得到封装单元。
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