台湾积体电路制造股份有限公司王博昇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件及其预充电操作的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113870915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110734825.6，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权存储器器件及其预充电操作的方法是由王博昇;林洋绪;李政宏设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件及其预充电操作的方法在说明书摘要公布了：本公开描述了具有预充电电路的存储器件的实施例。存储器器件可以包括存储器单元，并且预充电电路可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极端子，耦接到参考电压的第一源极漏极SD端子以及耦接到存储器单元的第一端子的第二SD端子。第二晶体管包括第二栅极端子，耦接到参考电压的第三SD端子以及耦接到存储器单元的第二端子的第四SD端子。第一和第二晶体管被配置为响应于分别将控制信号施加到第一和第二栅极端子而使参考电压通过。本发明的实施例还涉及存储器器件及其预充电操作的方法。
本发明授权存储器器件及其预充电操作的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 存储器单元，包括第一端子和第二端子； 第一晶体管，具有第一栅极端子、耦接到参考电压的第一SD源极漏极端子以及耦接到所述存储器单元的所述第一端子的第二SD端子，其中，所述第一晶体管被配置为响应于将控制信号施加到所述第一栅极端子而将所述参考电压从所述第一SD端子传输到所述第二SD端子；以及 第二晶体管，具有第二栅极端子、耦接到所述参考电压的第三SD端子和耦接到所述存储器单元的所述第二端子的第四SD端子，其中，所述第二晶体管被配置为响应于将所述控制信号施加到所述第二栅极端子而将所述参考电压从所述第三SD端子传输到所述第四SD端子； 第三晶体管，具有连接到所述第一栅极端子的第三栅极端子、连接到其他参考电压的第五SD端子以及连接到所述第二SD端子的第六SD端子，其中，所述第三晶体管被配置将所述其他参考电压从所述第五SD端子传输到所述第六SD端子；以及 第一传输晶体管，具有第四栅极端子、连接到所述存储器单元的所述第一端子的第七SD端子，以及连接到所述第二SD端子和所述第六SD端子的第八SD端子。
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