爱思开海力士有限公司姜仁求获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110307282.X，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由姜仁求;尹盛铉设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，该层叠结构包括彼此间隔开的导电图案；沟道结构，该沟道结构穿透层叠结构；以及狭缝绝缘层，该狭缝绝缘层穿透层叠结构。在导电图案之间限定气隙。狭缝绝缘层包括覆盖一个第一导电图案的侧壁的第一插置部分和从侧面覆盖一个气隙的第二插置部分。第二插置部分的最小宽度小于第一插置部分的最小宽度。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 层叠结构，所述层叠结构包括彼此间隔开的导电图案； 沟道结构，所述沟道结构穿透所述层叠结构； 狭缝绝缘层，所述狭缝绝缘层穿透所述层叠结构；以及 源极接触部，所述源极接触部与所述狭缝绝缘层接触， 其中，在所述导电图案之间限定气隙， 其中，所述狭缝绝缘层包括覆盖所述导电图案中的一个导电图案的侧壁的第一插置部分和从侧面覆盖所述气隙中的一个气隙的第二插置部分， 其中，所述第二插置部分的最小宽度小于所述第一插置部分的最小宽度， 其中，所述源极接触部包括覆盖所述狭缝绝缘层的所述第一插置部分的第一接触部分和覆盖所述狭缝绝缘层的所述第二插置部分的第二接触部分，并且 其中，所述源极接触部的所述第一接触部分与所述狭缝绝缘层的所述第一插置部分之间的界面朝向所述源极接触部的所述第一接触部分凸出。
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