瑞声开泰科技(武汉)有限公司;瑞声声学科技(深圳)有限公司但强获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞声开泰科技(武汉)有限公司;瑞声声学科技(深圳)有限公司申请的专利导电结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113955712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111160920.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权导电结构及其制备方法是由但强;李杨;黎家健;吴伟昌设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种导电结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：制备框架，所述框架包括静态框架和移动板；制备移动板，所述移动板能够相对于所述静态框架移动；采用MEMS工艺制备导电连接件；组装所述导电连接件，所述导电连接件包括分别与所述静态框架及所述移动板耦接的端部以及连接于所述端部之间的导线。利用传统工艺制备静态框架及移动板，利用MEMS工艺制备导电连接件，有效利用了不同工艺的有点，降低了导电结构的制作难度、成本，易于小型化及集成化。
本发明授权导电结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种导电结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备框架，所述框架包括静态框架和移动板，所述移动板能够相对于所述静态框架移动； 采用MEMS工艺制备导电连接件，包括：选择衬底，在所述衬底上制备所述导电连接件，去除所述衬底并转移所述导电连接件；在所述衬底上制备所述导电连接件包括：在衬底上沉积牺牲层，在所述牺牲层上沉积绝缘介质层，在所述绝缘介质层上沉积种子层，在所述种子层上涂覆第一光刻胶层并图案化所述第一光刻胶层以露出部分所述种子层，溅射金属层，去除所述第一光刻胶层以及种子层，涂覆第二光刻胶层，图案化所述第二光刻胶层以露出部分所述绝缘介质层，以第二光刻胶层作为掩模刻蚀所述绝缘介质层以形成绝缘部，去除所述第二光刻胶层；所述图案化所述第一光刻胶层包括形成端部的形成区域以及导线的形成区域； 组装所述导电连接件，所述导电连接件包括分别与所述静态框架及所述移动板耦接的端部以及连接于所述端部之间的导线。
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