上海韦尔半导体股份有限公司吴中瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111154291.6，技术领域涉及：H10D8/25；该发明授权一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺是由吴中瑞;张栋;胡勇海;郗瑞千;赵盼;陆逸枫设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺在说明书摘要公布了：本申请实施例一种单向瞬态抑制二极管及工艺，所述二极管包括，第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一注入区和第二注入区；第一注入区设置在衬底正面，第二注入区设置在衬底背面，其中，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。在衬底正表面上依次从下到上设置有阻挡层和绝缘层；第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导电类型和第二导电类型不同，本申请以提高负浪涌的能力。
本发明授权一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种单向瞬态抑制二极管，其特征在于，包括，第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一注入区和第二注入区； 第一注入区设置在衬底正面，第二注入区设置在衬底背面，其中，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深； 在衬底正表面上依次从下到上设置有阻挡层和绝缘层；第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导电类型和第二导电类型不同； 二极管还包括，第二导电类型的第三注入区； 第二注入区的宽度大于第三注入区的宽度，且第三注入区与衬底之间形成的pn结的结深大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。
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