珠海越亚半导体股份有限公司陈先明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利一种基于模制成型制程的封装基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111093590.3，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权一种基于模制成型制程的封装基板及其制造方法是由陈先明;冯磊;黄本霞;洪业杰设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于模制成型制程的封装基板及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于模制成型制程的封装基板，包括封装层、位于所述封装层内的支撑框架、基座、位于所述基座上表面的器件、位于所述基座下表面的铜凸台以及沿高度方向贯穿所述封装层的导通铜柱层，在所述封装层上下的第一线路层和第二线路层，所述第二线路层包括第二导通线路和散热线路，所述第一线路层和所述第二导通线路通过所述导通铜柱层导通连接，所述散热线路通过所述铜凸台和所述基座与所述器件的一侧连接，所述第一线路层与所述器件的另一侧连接。还公开了一种基于模制成型制程的封装基板的制造方法。
本发明授权一种基于模制成型制程的封装基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于模制成型制程的封装基板的制造方法，包括如下步骤： a准备临时承载板，并在所述临时承载板的至少一侧上制作导通铜柱层； b制造第一基板，所述第一基板包括支撑框架和基座以及在所述基座上的铜凸台，所述支撑框架和所述基座之间形成贯穿通孔； c在所述基座上贴装器件； d将所述临时承载板和所述第一基板同时装配固定于模具中，所述导通铜柱层位于所述贯穿通孔内，所述导通铜柱层的下端面与所述铜凸台的端面平齐或高出所述铜凸台的端面，施加封装层以塑封所述第一基板、所述器件以及所述导通铜柱层； e拆除所述模具； f移除所述临时承载板； g减薄所述封装层以暴露所述导通铜柱层的端部和所述铜凸台的端面； h形成器件端子开窗以暴露所述器件的端子； i在所述封装层的上下表面上分别形成第一线路层和第二线路层，所述第二线路层包括第二导通线路和散热线路，所述第一线路层和所述第二导通线路通过所述导通铜柱层导通连接，所述散热线路通过所述铜凸台和所述基座与所述器件的无效表面连接，所述第一线路层和所述器件的端子连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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