中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司全宗植获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体存储器、其制作方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010761200.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器、其制作方法及电子设备是由全宗植;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器、其制作方法及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体存储器、其制作方法及一种电子设备。本公开的半导体存储器包括：位线层，具有至少一条位线；有源层，位于所述位线层上方并且包括至少一个有源区；栅堆叠，所述有源区的侧壁被所述栅堆叠包围；以及，存储层，位于所述有源层上方并且包括至少一个存储区。该半导体存储器通过垂直地将位线所在层和存储区分离到有源区的上下，使上下分离的两个层和连接中间有源区的接触不在同一平面上，确保了平面上的工艺裕度，从而可以改善半导体存储器设计层面的限制，提升半导体存储器的性能。
本发明授权半导体存储器、其制作方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成至少一条位线，并在所述位线上形成位线隔离膜； 在所述位线隔离膜上形成栅导体层； 形成贯穿栅导体层和位线隔离膜的有源区槽，直至露出所述位线； 在所述有源区槽中依次形成栅介质层、有源区的侧墙和插塞； 在所述有源区顶部形成着陆焊盘及存储区，所述有源区顶部通过所述着陆焊盘与所述存储区接触； 在所述有源区槽中依次形成栅介质层、有源区的侧墙和插塞，包括： 在所述有源区槽的侧壁和底壁依次沉积栅介质层和第一层掺杂多晶硅； 刻蚀所述栅介质层和第一层掺杂多晶硅而形成有源区的侧墙，以及露出所述位线； 在所述侧墙环绕的空间中沉积第二层掺杂多晶硅而形成有源区的插塞。
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