长江存储科技有限责任公司吴继君获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111404917.4，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制备方法是由吴继君设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请一方面提供了一种制备三维存储器的方法。所述方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并包括沟道层和预设层的沟道结构；对所述沟道层以及所述预设层进行退火处理；去除所述衬底的至少一部分以暴露所述预设层；以及去除所述预设层，并以绝缘层填充去除所述预设层后形成的空隙。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，包括： 在衬底上形成叠层结构； 形成贯穿所述叠层结构并包括沟道层和预设层的沟道结构； 在所述叠层结构的远离所述衬底的一侧上形成半导体构件； 在形成所述半导体构件后，对所述沟道层以及所述预设层进行退火处理，以使所述预设层中的氢源直接施加于所述沟道层； 进行所述退火处理后，去除所述衬底的至少一部分以暴露所述预设层；以及 从所述叠层结构背离所述半导体构件的一侧，去除所述预设层并以绝缘层填充去除所述预设层后形成的空隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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