美光科技公司韦磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有经优化电阻层的存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110863427.4，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权具有经优化电阻层的存储器是由韦磊;郑鹏园;凯文·李·拜克;E·S·埃格;A·T·巴顿;R·维尼加拉设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有经优化电阻层的存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种具有经优化电阻层的存储器。存储器系统可包含可使用存取线中的单独电阻层沉积在存储器单元和导电通孔上方的单独量或类型的电阻材料。可在执行用于沉积所述导电通孔的阵列终止蚀刻之前在所述存储器单元上方沉积第一电阻材料层。所述阵列终止蚀刻可去除在用于沉积所述导电通孔的阵列的部分上方的所述第一电阻材料。可在所述蚀刻已发生且所述导电通孔已被形成之后沉积第二电阻材料层。可在所述导电通孔上方沉积所述第二电阻材料层。
本发明授权具有经优化电阻层的存储器在权利要求书中公布了：1.一种用于制造存储器装置的方法，所述方法包括： 在多个存储器堆叠上沉积第一电阻材料，所述多个存储器堆叠中的每一个包含电极材料和存储器材料的分层组合件； 在所述多个存储器堆叠上在所述第一电阻材料上方沉积第一导电材料； 去除所述多个存储器堆叠的区域以在所述第一电阻材料、所述第一导电材料和所述多个存储器堆叠中的一或多个存储器堆叠中形成间隙； 沉积导电材料以在所述间隙中形成导电通孔； 在所述第一导电材料和所述导电通孔上方沉积第二电阻材料；以及 在所述多个存储器堆叠上在所述第二电阻材料上方沉积第二导电材料，其中所述第二导电材料与所述第二电阻材料的一部分接触，所述第二电阻材料直接在所述导电通孔上方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励