SPTS科技有限公司M·瓦瓦拉获国家专利权
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龙图腾网获悉SPTS科技有限公司申请的专利用于蚀刻的设备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110900535.4，技术领域涉及：H01J37/20；该发明授权用于蚀刻的设备及方法是由M·瓦瓦拉;C·普拉霍韦亚努设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于蚀刻的设备及方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及用于蚀刻的设备及方法。根据本申请案，一种等离子体蚀刻设备包括：等离子体腔室；等离子体产生装置，其用于在所述等离子体腔室内维持等离子体；衬底支撑件，其安置于所述等离子体腔室内用于支撑所述半导体衬底，所述衬底支撑件包括导电结构；电力供应器，其用于将具有RF功率的RF电信号提供到所述导电结构；及环形介电环结构，其包括背侧表面，所述背侧表面包括导电涂层；其中所述导电结构与所述导电涂层间隔开且在所述导电涂层下方延伸，使得当RF功率被提供到所述导电结构时，所述RF功率耦合到所述导电涂层。本发明还涉及相关联方法。
本发明授权用于蚀刻的设备及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于蚀刻半导体衬底的等离子体蚀刻设备，所述等离子体蚀刻设备包括： 等离子体腔室； 等离子体产生装置，其用于在所述等离子体腔室内维持等离子体； 衬底支撑件，其安置于所述等离子体腔室内用于支撑所述半导体衬底，所述衬底支撑件包括导电结构； 电力供应器，其用于将具有RF功率的RF电信号提供到所述导电结构；及 环形介电环结构，其包括背侧表面，所述背侧表面包括导电涂层，其中所述导电涂层包括径向内区域和径向外区域； 其中所述导电结构与所述导电涂层的所述径向内区域完全间隔开且在所述导电涂层的所述径向内区域下方延伸，使得提供到所述导电结构的所述RF功率电容性地耦合到所述导电涂层； 其中所述导电涂层中的至少一些安置在所述半导体衬底的上方以使得所述半导体衬底安置在所述衬底支撑件和所述导电涂层之间。
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