台湾积体电路制造股份有限公司张贵松获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及有关封装结构的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141642B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110902270.1，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权封装结构及有关封装结构的测量方法是由张贵松设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及有关封装结构的测量方法在说明书摘要公布了：本揭露涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。本揭露提供一种测量方法，所述测量方法包含：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖；通过所述封盖的开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。本揭露也提供一种用于所述测量的封装结构。
本发明授权封装结构及有关封装结构的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种测量方法，其包括： 提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口，且所述开口包含靠近所述装置的下部端； 通过所述开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的所述顶部表面相关联的第一焦平面； 照射所述封盖的所述开口的所述下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及 基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的所述顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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