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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其气体分配装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111315790.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体工艺设备及其气体分配装置是由张文强;郑波;兰云峰;秦海丰;任晓艳;王昊设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺设备及其气体分配装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体工艺设备及其气体分配装置，涉及半导体加工设备技术领域。半导体工艺设备包括腔体和设置在腔体中的基座。该气体分配装置包括气体分配板，气体分配板设置于腔体中，且与基座相对设置。气体分配板开设有多个气体分配孔，多个气体分配孔用于向腔体内输入工艺气体；气体分配板朝向基座的一侧具有凹陷区域和凸出区域，凹陷区域与基座之间的间距为第一间距，凸出区域与基座之间的间距位于第二间距，第一间距大于第二间距。上述方案中，凹陷区域和凸出区域使气体分配板中的各部分与基座之间的间距不相同，以调节气体分配板与基座之间的电场，使得气体分配板与基座之间电场强度更均匀，进而使绝缘介质薄膜致密度更均匀。

本发明授权半导体工艺设备及其气体分配装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺设备的气体分配装置，所述半导体工艺设备包括腔体500和设置在所述腔体500中的基座200，其特征在于，气体分配装置包括气体分配板100，所述气体分配板100设置于所述腔体500中，且与所述基座200相对设置，所述气体分配板100开设有多个气体分配孔110，所述多个气体分配孔110用于向所述腔体500内输入工艺气体； 所述气体分配板100朝向所述基座200的一侧具有凹陷区域101和凸出区域102，所述凹陷区域101与所述基座200之间的间距为第一间距，所述凸出区域102与所述基座200之间的间距位于第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述气体分配板100的与所述凸出区域102和所述凹陷区域101相对的部分，背离所述基座200的一侧为平面，以使所述气体分配板100与所述凸出区域102相对应的部分的厚度大于所述气体分配板100与凹陷区域101相对应的部分的厚度。

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