日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111234574.1，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板；位于基板上方的线路层，线路层包括介电层和内埋于介电层的多个微孔结构，其中，微孔结构的侧壁和底壁具有多个突出曲面彼此部分重叠地垂直堆叠而形成的形状。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板； 线路层，位于所述基板上方，所述线路层包括介电层和内埋于所述介电层的多个微孔结构，其中，所述微孔结构的侧壁为连续相接的多个突出曲面；以及 贯通孔，穿过所述线路层延伸至所述基板， 其中，多个所述微孔结构包括多个微孔结构组，所述微孔结构组中的微孔结构的高度是变化的，所述微孔结构组的位于中间处的微孔结构具有最高高度，并且在从所述微孔结构组的中间向两侧的方向上，微孔结构的高度逐渐减小，并且其中，所述贯通孔插入在所述多个微孔结构组的一些微孔结构组中，并且邻近所述贯通孔的所述微孔结构组中的微孔结构的数量少于其他微孔结构组中的微孔结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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