可尔HW半导体公司马库斯·哈卡莫获国家专利权
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龙图腾网获悉可尔HW半导体公司申请的专利电容器结构和芯片天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097817.6，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容器结构和芯片天线是由马库斯·哈卡莫;托米-佩卡·塔卡洛;彼得里·科蒂莱宁;彼得里·海利厄设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器结构和芯片天线在说明书摘要公布了：本发明涉及一种使用半导体工艺实现的电容器结构。该电容器结构包括由介电材料分开的复数个叉指正负电极指状物，及由该介电材料分开的复数个经图案化的金属化层。每个叉指电极指状物包括：侧向部分，其形成在至少两个基本上平行的第一金属化层中的一者上；以及垂直部分，其包括复数个叠置的平板或杆体，该复数个叠置的平板或杆体设置在所述第一金属化层之间的复数个第二金属化层上并且彼此电连接且通过复数个导电通孔电连接至该侧向部分，该复数个导电通孔横穿将相邻金属化层分开的介电材料。两个相邻电极指状物的每一对至少部分叠置的侧向部分之间的垂直距离基本上等于两个相邻垂直部分之间的侧向距离。
本发明授权电容器结构和芯片天线在权利要求书中公布了：1.一种使用半导体工艺实现的电容器结构，所述电容器结构包括由介电材料分开的复数个叉指正负电极指状物以及由所述介电材料分开的复数个经图案化的金属化层， 其特征在于，每个叉指电极指状物包括： 侧向部分，其由至少两个平行的第一金属化层中的一者形成，以及 垂直部分，其包括由驻存于所述第一金属化层之间的复数个第二金属化层形成的复数个叠置的平板或杆体，其中，所述平板或杆体彼此电连接并且通过复数个导电通孔电连接至所述侧向部分，所述复数个导电通孔横穿将相邻金属化层分开的介电材料，并且 其中，两个相邻电极指状物的每一对至少部分叠置的侧向部分之间的垂直距离等于两个相邻垂直部分之间的侧向距离，或者两个相邻电极指状物的每一对至少部分叠置的侧向部分之间的垂直距离等于其间没有设置侧向部分的两个相邻垂直部分之间的侧向距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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