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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203828B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110878861.X，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权半导体装置是由系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;罇贵子;河村圭子;布施香织设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第三半导体层、第一导电型的第二半导体层、多个电极以及第一绝缘膜。第二半导体层设置于第一半导体层上，包含比第一半导体层的第一导电型杂质低浓度的第一导电型杂质。第三半导体层设置于第二半导体层的上方，具有与第二半导体层相反侧的第一面。多个电极从第一面到第二半导体层中为止在多个沟槽的内部延伸。多个第一绝缘膜分别设置于多个电极与第二及第三半导体层之间。多个电极包括：第一电极组，在第一面上在第一方向上各隔开第一距离而排成一列；以及第二电极组，在第一方向上各隔开第一距离地排成一列，在第二方向上与第一电极组隔开第二距离。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一导电型的第一半导体层； 所述第一导电型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层上，包含比所述第一半导体层的第一导电型杂质低浓度的第一导电型杂质； 第二导电型的第三半导体层，设置于所述第二半导体层的上方，所述第三半导体层位于所述第二半导体层的相反侧，具有在第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一面； 多个电极，设置于所述第二半导体层上，所述多个电极分别在多个沟槽的内部延伸，该多个沟槽的深度是从所述第一面到所述第二半导体层中的深度；以及 第一绝缘膜，设置于所述多个电极中的1个与所述第三半导体层之间以及所述多个电极中的所述1个与所述第二半导体层之间， 所述多个电极包括第一电极组和第二电极组， 所述第一电极组中的所述多个沟槽在所述第一面中在所述第一方向上各隔开第一距离地排成一列， 所述第二电极组中的所述多个沟槽在所述第一面中在所述第一方向上各隔开所述第一距离地排成一列， 所述第二电极组中的所述多个沟槽在所述第一面中在所述第二方向上与所述第一电极组隔开第二距离， 对于所述多个沟槽的每个，与在其周围相邻的所述沟槽之间的间隔的最大值为，处于在对所述第一半导体层与所述第三半导体层之间施加了规定的电压时、所述第二半导体层的位于所述相邻的2个沟槽之间的部分耗尽化的距离以下， 所述多个沟槽在所述第一面中的截面积的合计比所述第三半导体层的所述第一面的面积窄。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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