深圳深爱半导体股份有限公司魏国栋获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳深爱半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111400001.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制备方法是由魏国栋;李杰;李佳玲设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并将第一端与栅极区电连接，第二端与漏极区电连接，相当于在栅极区和漏极区之间并联了一个电阻，如此当半导体器件应用于半导体芯片时，则无需在半导体芯片内额外集成电阻，通过将电阻集成在半导体器件中，便于调整电阻阻值，且能够降低半导体芯片的制造成本。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 漂移区，具有第一导电类型； 体区，位于所述漂移区的第一表层且形成有沟道，所述体区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 栅极区，位于所述漂移区的第一表层并覆盖所述沟道，且延伸覆盖至所述体区的表面； 源极区，设置在所述体区远离所述漂移区的表面，并与所述栅极区相邻设置； 电阻结构，设置在所述漂移区的第一表层，包括相对的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极区电连接； 漏极区，位于所述漂移区的第二表层，与所述第二端电连接，所述第二表层与所述第一表层相对设置； 其中，所述电阻结构包括第一氧化层、多晶硅条和导电层，所述第一氧化层位于所述漂移区的第一表层；所述多晶硅条位于所述第一氧化层远离所述漂移区的表面，所述多晶硅条的延伸方向上设置有第一接点和第二接点，所述第一接点作为所述第一端，所述第二接点作为所述第二端；所述导电层覆盖所述第二接点，且与所述漏极区电连接。
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