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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111009463.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由田中明广;税所哲弘;生野徹;大西孝治设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具备：半导体部，具有末端、第一区域以及位于第一区域与末端之间的第二区域，半导体部具有第一导电型的第一半导体层、设于第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层、设于第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层以及设于第二半导体层上且第二导电型杂质浓度高于第二半导体层的第二导电型的第四半导体层；栅极电极，设于半导体部内，具有与第二半导体层对置的侧面；绝缘膜，设于栅极电极的侧面与半导体部之间；以及上部电极，设于半导体部上，与第三半导体层以及第四半导体层相接。第二区域中的第四半导体层的面积相对于第三半导体层的面积的比率比第一区域中的第四半导体层的面积相对于第三半导体层的面积的比率大。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体部，具有末端、第一区域以及位于所述第一区域与所述末端之间的第二区域，所述半导体部具有：n型的第一半导体层；p型的第二半导体层，设于所述第一半导体层上；n型的第三半导体层，设于所述第二半导体层上；以及p型的第四半导体层，设于所述第二半导体层上，且p型杂质浓度高于所述第二半导体层，在所述半导体部中，所述第二区域中的所述第四半导体层的面积相对于所述第三半导体层的面积的比率，大于所述第一区域中的所述第四半导体层的面积相对于所述第三半导体层的面积的比率； 栅极电极，设于所述半导体部内，具有与所述第二半导体层对置的侧面； 绝缘膜，设于所述栅极电极的所述侧面与所述半导体部之间；以及 上部电极，设于所述半导体部上，与所述第三半导体层和所述第四半导体层相接， 所述第四半导体层具有配置于所述第一区域的第一部分、配置于所述第二区域的第二部分、以及配置于所述第二区域且将所述第一部分与所述第二部分相连的第三部分， 所述第二部分的宽度以及所述第三部分的宽度比所述第一部分的宽度大， 多个所述栅极电极与多个所述第三部分沿与所述栅极电极延伸的第一方向交叉的第二方向交替地排列， 多个所述第三部分经由所述栅极电极在所述第二方向上排列的区域的所述第二方向的长度，在越是与所述半导体部的角部接近的区域中越长。

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