爱思开海力士有限公司禹仲范获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110703943.0，技术领域涉及：H10P72/78；该发明授权夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备是由禹仲范;金秀赫;李炳昊;林泰焕设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备在说明书摘要公布了：本公开提供夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备。半导体制造设备可包括配置成拾取半导体芯片的夹头结构。夹头结构可包括保持器、板、吸引构件和边缘接触部。保持器可配置成向下接收真空。保持器可包括设置在保持器中的磁体。板可以包括与保持器磁性地且机械地结合的上表面。板可包括完全由保持器暴露的侧壁。板可以接收来自保持器的真空。吸引构件可与板接触以使用从板接收的真空拾取半导体芯片。边缘接触部可包括具有第一长度的突出部，该突出部从保持器的底表面的边缘部突出以与板接触。
本发明授权夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造设备，所述半导体制造设备包括拾取分割的半导体芯片的夹头结构，所述夹头结构包括： 保持器，所述保持器接收真空，所述保持器包括设置在所述保持器中的磁体； 板，所述板包括与所述保持器磁性地且机械地结合的上表面，所述板包括由所述保持器暴露以从所述保持器接收真空的侧壁；以及 吸引构件，所述吸引构件与所述板接触以使用从所述板提供的真空拾取所述半导体芯片， 其中，所述保持器包括： 柄部，所述柄部的尺寸等于所述板的尺寸； 真空提供器，所述真空提供器布置在所述柄部的上方，所述真空提供器包括用于传递所述真空的第一真空孔；以及 边缘接触部，所述边缘接触部具有从所述柄部的底表面的边缘部突出的第一长度以与所述板的所述上表面的边缘部接触， 其中，所述柄部的所有外侧壁与所述板的所有外侧壁共面。
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