中微半导体设备(上海)股份有限公司赵军获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体器件形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011054646.X，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种半导体器件形成方法是由赵军;苏兴才设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件形成方法，在一真空反应腔内进行，包含：提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，其包含至少一开口，所述介电质层上方和所述开口内设有底部抗反射涂层，所述开口周围的底部抗反射涂层上方设置光刻胶层；向所述真空反应腔内通入反应气体，对所述开口进行刻蚀，该反应气体包括第一气体和第二气体，第一气体包括NO，第二气体包括CO和或CO2，反应气体对底部抗反射涂层的刻蚀速率大于对光刻胶层的刻蚀速率。本发明提供的NOCO反应气体，可达到对BARC与PR的选择比与基础条件相当，对BARC的刻蚀速率大幅提升，PR的CD尺寸大幅减小，对SiN介电质层的氧化能力降低，使得后续湿法刻蚀晶片损失降低的效果，且刻蚀均一性也能满足要求。
本发明授权一种半导体器件形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件形成方法，所述方法在一真空反应腔内进行，其特征在于，该方法包含： 提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，该介电质层包含至少一开口，所述介电质层上方和所述开口内设有底部抗反射涂层，所述开口周围的底部抗反射涂层上方设置光刻胶层； 向所述真空反应腔内通入反应气体，对所述开口进行刻蚀，所述反应气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体包括NO，所述第二气体包括CO和或CO2，其中，所述第一气体和所述第二气体的体积比为1:4～4:1；所述反应气体对底部抗反射涂层的刻蚀速率大于对光刻胶层的刻蚀速率。
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