美光科技公司T·O·伊瓦萨基获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利依序SLC读取优化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114341985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080062254.X，技术领域涉及：G11C11/56；该发明授权依序SLC读取优化是由T·O·伊瓦萨基;T·D·埃万斯;A·F·特里维迪;A·U·利马耶;J·黄设计研发完成，并于2020-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本依序SLC读取优化在说明书摘要公布了：公开了用于读取操作和管理的系统和方法。更确切地说，本公开涉及接收指向第一逻辑地址的第一读取命令，且在所述第一读取命令之后接收指向第二逻辑地址的第二读取命令。所述方法还包含在所述第二读取命令之后接收指向第三逻辑地址的第三读取命令，且确定所述第一逻辑地址和所述第三逻辑地址分别对应于第一物理地址和第三物理地址。所述第一物理地址和所述第三物理地址可与存储器组件的第一字线相关联，而所述第二逻辑地址对应于与所述存储器组件的第二字线相关联的第二物理地址。所述方法包含依序执行所述第一读取命令和所述第三读取命令。
本发明授权依序SLC读取优化在权利要求书中公布了：1.一种用于读取优化的方法，其包括： 接收指向第一逻辑地址的第一读取命令； 在所述第一读取命令之后接收指向第二逻辑地址的第二读取命令； 在所述第二读取命令之后接收指向第三逻辑地址的第三读取命令； 确定所述第一逻辑地址对应于第一物理地址，所述第三逻辑地址对应于第三物理地址，所述第一物理地址和所述第三物理地址与存储器组件的第一字线相关联，以及所述第二逻辑地址对应于与所述存储器组件的第二字线相关联的第二物理地址；以及 依序执行所述第一读取命令和所述第三读取命令。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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