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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011140773.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备是由尹炅一;吴容哲;刘金彪;杨涛;贺晓彬;丁明正;王垚设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备。该金属氧化物半导体场效应管包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层的两侧分别与所述有源区两侧的隔离结构相接触；栅极层，位于所述隔离结构和所述栅极氧化物层上；所述有源区的上部两侧分别形成有两个栅极非重叠区；所述栅极非重叠区为所述隔离结构所覆盖。本申请的金属氧化物半导体场效应管，有源区的上部两侧分别具有两个栅极非重叠区，栅极非重叠区能够有效消除浅沟槽结构所产生的寄生晶体管现象，能更大程度地减少阈下驼峰现象。

本发明授权金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，包括： 形成位于相邻第一沟槽之间的有源区，有源区的横截面为正梯形形状； 在所述有源区两侧形成第一隔离结构；第一隔离结构的顶面低于有源区的顶面；第一隔离结构的横截面为轴对称的倒梯形的形状； 在所述有源区上形成完全覆盖所述有源区顶面的第一氮化物层； 选择性地刻蚀所述第一氮化物层，暴露所述有源区顶面的两侧的第一边角，使所述第一氮化物层的剩余部分覆盖所述有源区的中间部分； 刻蚀所述第一边角，形成第一栅极非重叠区与位于所述第一栅极非重叠区上方的第二栅极非重叠区，且第一栅极非重叠区与第二栅极非重叠区形成台阶，第一栅极非重叠区顶面与第一隔离结构的顶面相平齐； 在相邻的两个第一氮化物层的剩余部分之间，填充与所述第一隔离结构相同的材料，形成第二隔离结构；所述第二隔离结构的顶面与所述第一氮化物层的剩余部分的顶面相平齐；所述第二隔离结构的两侧分别覆盖所述第一栅极非重叠区和所述第二栅极非重叠区；在所述第二隔离结构顶面上形成第二沟槽； 刻蚀去除所述第一氮化物层的剩余部分，之后，在所述有源区的中间部分上形成栅极氧化物层；所述栅极氧化物层的顶面低于所述第二隔离结构的顶面，高于所述第二沟槽的底面； 形成覆盖所述栅极氧化物层和所述第二隔离结构的栅极层。

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