长江存储科技有限责任公司宋雅丽获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利用于通过调整虚设字线的电压而降低编程干扰的方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111489919.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权用于通过调整虚设字线的电压而降低编程干扰的方法和存储器是由宋雅丽;贾建权;游开开;张安;赵向南;崔莹;李姗;李楷威;靳磊;黄雪青;娄猛;张进龙设计研发完成，并于2019-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于通过调整虚设字线的电压而降低编程干扰的方法和存储器在说明书摘要公布了：一种存储器包括上堆叠体和下堆叠体。上堆叠体包括第一上虚设字线。下堆叠体包括第一下虚设字线。一种用于降低存储器的编程干扰的方法包括调整施加至第一上虚设字线的第一上偏置电压和或第一上虚设字线的第一上阈值电压，以调整第一上偏置电压与第一上阈值电压之间的第一差值；以及调整施加至第一下虚设字线的第一下偏置电压和或第一下虚设字线的第一下阈值电压，以调整第一下偏置电压与第一下阈值电压之间的第二差值。
本发明授权用于通过调整虚设字线的电压而降低编程干扰的方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种对存储器操作的方法，所述存储器包括上堆叠体和下堆叠体，所述上堆叠体形成于所述下堆叠体上方，所述上堆叠体包括第一上虚设字线，所述下堆叠体包括第一下虚设字线，在对所述存储器的字线编程时，所述方法包括： 向所述第一上虚设字线施加第一上偏置电压，使所述第一上偏置电压与连接在所述第一上虚设字线的存储单元的第一上阈值电压之间的差值为第一差值； 向所述第一下虚设字线施加第一下偏置电压，使所述第一下偏置电压与连接在所述第一下虚设字线的存储单元的第一下阈值电压之间的差值为第二差值； 调整所述第一差值和所述第二差值，以降低对存储器编程的干扰。
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