清华大学任天令获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111484162.3，技术领域涉及：H10K99/00；该发明授权图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用是由任天令;囤冠华;覃肯;张海南;耿祥顺;谢丹;梁仁荣设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：1在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；2对步骤1得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；3对步骤2得到的所述光刻胶薄膜进行显影；4将步骤3得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；5将步骤4得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
本发明授权图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种卤素钙钛矿薄膜图案化的方法，其特征在于，包括： 1配置卤素钙钛矿前驱体溶液，将所述卤素钙钛矿前驱体溶液沉积到基片上，退火，以形成卤素钙钛矿薄膜，在所述卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜； 2对步骤1得到的所述光刻胶薄膜进行曝光； 3对步骤2得到的所述光刻胶薄膜进行显影； 4将步骤3得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀； 5将步骤4得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜； 所述卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中所述卤素钙钛矿和所述有机溶剂的质量体积比为0.1mgmL~10mgmL； 所述卤素钙钛矿和所述有机溶剂的混合物为胶体； 所述胶体的粒径为10nm~1000nm； 去胶时间3~20s； 所述卤素钙钛矿前驱体溶液的浓度为0.1molL~1.5molL。
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