中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司安重镒获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种SOD膜的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011182455.1，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种SOD膜的处理方法是由安重镒;李相遇;金成基;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;田光辉设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOD膜的处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SOD膜的处理方法。一种SOD膜的处理方法，包括：第一次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜交替通入氧气气体、氮气气体；第二次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体；第三次高温退火：在700℃～1100℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体。本发明能够促使材料放气以提高间隙填充能力，还能通过高温下的退火提高SOD膜致密度，减少孔洞，提高了膜强度。
本发明授权一种SOD膜的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种SOD膜的处理方法，其特征在于，包括： 第一次低温退火：在300℃~500℃温度下，向SOD膜交替通入氧气气体、氮气气体； 第二次低温退火：在300℃~500℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体； 第三次高温退火：在700℃~1100℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体。
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