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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111250923.9，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块是由徐范锡;马督儿·博德;牛志强;李俊鎬;徐小静;庄肇嵘设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块在说明书摘要公布了：一种智能功率模块IPM，包括第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组绝缘栅双极晶体管IGBTs、第二组IGBT、第一组超级结金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFETs、第二组超级结MOSFET，第五芯片支撑元件、低压集成电路、高压集成电路和成型封装。低压和高压集成电路连接到第五芯片支撑元件。所述成型封装封装了包括第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组IGBTs、第二组IGBTs、第一组超结MOSFETs、第二组超级结MOSFETs、第五芯片支撑元件、低压IC、高压IC。

本发明授权含有IGBT和超级结MOSFET的智能功率模块在权利要求书中公布了：1.一种用于驱动电机的智能功率模块IPM，该IPM包括： 彼此分离的第一、第二、第三和第四芯片支撑元件； 第一组绝缘栅双极晶体管IGBTs，包括： 第一IGBT，连接到第三芯片支撑元件；以及 第二IGBT，连接到第四芯片支撑元件； 第二组IGBT，包括： 第一IGBT，连接到第二芯片支撑元件；以及 第二IGBT，连接到第二芯片支撑元件； 第一组超级结金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFETs包括： 第一超级结MOSFET，连接到第三芯片支撑元件；以及 第二超级结MOSFET，连接到第四芯片支撑元件； 第二组超级结MOSFET，包括： 第一超级结MOSFET，连接到第二芯片支撑元件； 第二超级结MOSFET，连接到第二芯片支撑元件； 低压集成电路IC，连接到第一芯片支撑元件；低压IC电连接到第一组IGBT的第一IGBT以及第一组IGBT的第二IGBT上； 高压IC，连接到第一芯片支撑元件，高压IC电连接到第二组IGBT的第一IGBT以及第二组IGBT的第二IGBT上；以及 一个成型封装，封装了第一、第二、第三和第四芯片支撑元件、第一组IGBT、第二组IGBT、第一组超级结MOSFET、第二组超级结MOSFET、低压IC以及高压IC； 其中第一和第二组IGBT中的每个IGBT都包括一个单独的栅极垫；并且其中第一和第二组超级结MOSFET中的每个超级结MOSFET都包括一个单独的栅极垫； 还包括第一组引线、第二组引线、第三组引线以及第四组引线； 其中第一组引线中的每根引线都将所述低压IC的对应焊盘连接到所述第一组IGBT的对应IGBT的单独的栅极垫； 其中第二组引线中的每根引线都将所述高压IC的对应焊盘连接到所述第二组IGBT的对应IGBT的单独的栅极垫； 其中第三组引线中的每根引线都将所述第一组IGBT的对应IGBT的单独的栅极垫连接到所述第一组超级结MOSFET的对应超级结MOSFET的单独的栅极垫，所述对应IGBT和所述对应超级结MOSFET设置在同一管芯支撑元件上；以及 其中第四组引线中的每根引线都将第二组IGBT的相应的IGBT的单独的栅极垫连接到第二组超级结MOSFET的相应的超级结MOSFET的单独的栅极垫; 还包括第五芯片支撑元件，与所述第三芯片支撑元件和所述第四芯片支撑元件相邻，所述第五芯片支撑元件上没有连接IGBT或超级结MOSFET。

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