鸿海精密工业股份有限公司陈中怡获国家专利权
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龙图腾网获悉鸿海精密工业股份有限公司申请的专利功率半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210120715.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体元件是由陈中怡设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体元件在说明书摘要公布了：功率半导体元件包含第一电极、基底、第一磊晶层、第二磊晶层、栅极电极以及第二电极。基底位在第一电极上并具有主动区以及终端区。第一磊晶层具有第一导电类型并包含第一与第二掺杂区。第一掺杂区具有第一导电类型且位在终端区以及主动区中。第二掺杂区具有第二导电类型且位在终端区中。栅极电极与第二电极位于第二磊晶层上且位在主动区中。设置第二掺杂区于终端区中可使第一与第二磊晶层以及终端区的边缘的电场下降，提升可靠度。设置第一掺杂区于主动区以及终端区中，使得第一掺杂区所在区域的电阻下降，并使功率半导体元件整体的导通电阻下降。借由这样的设计，可缩减功率半导体元件的终端区的面积及整体体积。
本发明授权功率半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体元件，其特征在于，包含： 第一电极； 基底，位于该第一电极上，该基底具有主动区以及围绕该主动区的终端区； 至少一第一磊晶层，位于该基底上，其中该第一磊晶层具有第一导电类型，该第一磊晶层包含： 第一掺杂区，具有该第一导电类型且位于该终端区以及该主动区中；以及 复数个第二掺杂区，具有第二导电类型且位于该终端区中； 第二磊晶层，位于该第一磊晶层上； 栅极电极，位于该第二磊晶层上且位于该主动区中； 第二电极，位于该第二磊晶层上且位于该主动区中；以及 源极区域，其中该第二电极电性连接该源极区域，且该第一掺杂区未延伸至该源极区域下方。
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