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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司申请的专利金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210107875.6，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法是由许滨滨;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;许静;嵇彤;黎婉雯设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法，通过将位于PMOS区域伪栅沟槽以外以及PMOS区域伪栅沟槽内至少槽口处的P型金属功函数层去除掉，使得PMOS区域伪栅沟槽至少槽口处的宽度增大，且PMOS区域伪栅沟槽的顶部高度也减小，从而在很大程度上减小PMOS区域伪栅沟槽的深宽比，主要是减小PMOS区域伪栅沟槽槽口处的深宽比，进而在向PMOS区域的伪栅沟槽内填充金属作为金属栅电极层时，不易在PMOS区域的伪栅沟槽的顶部发生突悬而造成空洞，即改善了向PMOS区域伪栅沟槽内填充金属的填充效果，这将大大增加CMOS器件的可靠性，提高CMOS器件的良品率。

本发明授权金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属栅极的制备方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域和所述PMOS区域分别具有伪栅沟槽； 在所述基底具有所述伪栅沟槽的一侧依次形成氧化界面层、高介电常数介质层、覆盖层、阻挡层和P型金属功函数层； 去除NMOS区域对应的P型金属功函数层； 在NMOS区域所述阻挡层背离所述基底的一侧以及PMOS区域所述P型金属功函数层背离所述基底的一侧形成掩膜层，所述掩膜层包括含硅的抗反射层Si-ARC层； 去除PMOS区域所述伪栅沟槽以外以及PMOS区域所述伪栅沟槽内至少槽口处的掩膜层，并至少保留PMOS区域所述伪栅沟槽底部的掩膜层； 去除没有被所述掩膜层覆盖的P型金属功函数层； 去除剩余的所述掩膜层； 沉积N型金属功函数层和粘合层； 向所述伪栅沟槽内填充金属作为金属栅电极层，形成金属栅极； 其中，去除PMOS区域所述伪栅沟槽以外以及PMOS区域所述伪栅沟槽内至少槽口处的掩膜层包括： 通过选择性光刻和回蚀工艺，去除PMOS区域所述伪栅沟槽以外以及PMOS区域所述伪栅沟槽内至少槽口处的掩膜层；其中，在进行所述选择性光刻和回蚀工艺时，所用刻蚀气体包括三氟化氮和氢气的混合气体，所述三氟化氮的浓度为预设浓度； 去除没有被所述掩膜层覆盖的P型金属功函数层包括： 通过第一湿法刻蚀工艺，去除没有被所述掩膜层覆盖的P型金属功函数层；其中，在进行所述第一湿法刻蚀工艺时，所用溶液为氨水、双氧水和水的混合溶液，所需温度取值范围为49.5摄氏度至50.5摄氏度，包括端点值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司，其通讯地址为：510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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