应用材料公司史蒂文·C·H·洪获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利环绕式栅极输入/输出工程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114514597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080068741.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权环绕式栅极输入/输出工程是由史蒂文·C·H·洪;本杰明·科伦坡;罗源辉;李炳灿;约翰内斯·F·斯温伯格;特里萨·克莱默·瓜里尼;马尔科姆·J·贝文设计研发完成，并于2020-10-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本环绕式栅极输入/输出工程在说明书摘要公布了：本案说明一种制造环绕式栅极电子装置的方法。此方法包括以下步骤：通过增强原位蒸汽产生处理并结合低K层的原子层沉积来形成热氧化物层。薄热氧化物层钝化环绕式栅极GAA的硅层与介电层之间的界面。在低K层的沉积之后的钝化处理降低本体缺陷bulktrap及增强GAA晶体管的击穿性能。
本发明授权环绕式栅极输入/输出工程在权利要求书中公布了：1.一种制造电子装置的方法，所述方法包含以下步骤： 在基板上形成交替的硅Si层与硅锗SiGe层； 图案化与蚀刻所述交替的硅层与硅锗层以暴露所述硅层的至少一个侧壁与所述硅锗层的至少一个侧壁； 选择性蚀刻所述硅锗层以形成开口； 通过所述开口在所述硅层上形成热氧化物层； 钝化所述热氧化物层以形成钝化热氧化物层； 通过所述开口在所述钝化热氧化物层上沉积低K层；及 致密化所述低K层以形成致密低K层， 其中所述低K层具有在1至6的范围中的介电常数，并且 其中所述热氧化物层具有在至的范围中的厚度。
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