中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李春雨获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011297686.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由李春雨;胡艳鹏;卢一泓设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：衬底，衬底上形成有暴露于衬底表面的连接焊盘；位于连接焊盘上方的电容器下电极层，电容器下电极层的底面与连接焊盘接触；位于电容器下电极层的两侧侧壁外围的刻蚀停止层、第一模层以及从下至上间隔设置的多个支撑层，其中最下方的第一支撑层完整地支撑于相邻两个电容器下电极层的相对两个侧壁之间，第一模层位于第一支撑层下方，刻蚀停止层位于第一模层下方，电容器下电极层位于第一模层所在高度处的孔径大于其他部分。本发明能够不增加电容器高度的情况下提高电容器容量。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有暴露于所述衬底表面的连接焊盘，不同的连接焊盘之间填充有绝缘介质； 在所述衬底上表面形成刻蚀停止层； 在所述刻蚀停止层上形成间隔设置的数量相等的多个模层和多个支撑层，每个模层上方分别有对应的支撑层； 使用干法刻蚀工艺对所述刻蚀停止层、多个模层和多个支撑层进行刻蚀，以形成暴露所述连接焊盘上表面的开口； 在形成的所述开口内进行湿法刻蚀，其中位于最下方的第一模层的湿法刻蚀宽度大于所述第一模层上方的各模层的湿法刻蚀宽度； 在湿法刻蚀后的所述开口内形成电容器下电极层； 去除所述第一模层上方的各模层，包括：从上至下对各支撑层进行部分刻蚀，并对各支撑层下方的各模层进行全部刻蚀，直到露出最下方的第一支撑层，保留位于最下方的第一支撑层及其下方的第一模层，使得所述第一支撑层完整地支撑于相邻两个电容器下电极层的相对两个侧壁之间。
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