江西兆驰半导体有限公司李文涛获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210067711.5，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种倒装发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;鲁洋;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该发光二极管芯片自下而上依次包括衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一导电金属层、DBR反射层、第二导电金属层、绝缘保护层及键合金属层；其中，所述第一导电金属层包括第一N型导电金属与第一P型导电金属，在单个所述发光二极管芯片内，所述第一N型导电金属与所述第一P型导电金属的数量比为1：2‑1：30。本发明能够解决现有技术中第一N型导电金属与第一P型导电金属间距较大，导致电流扩散困难及电流扩散不均匀，在较大的雷击浪涌测试时，大电压输入的情况下，电流无法迅速扩散，导致芯片烧毁失效的技术问题。
本发明授权一种倒装发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片自下而上依次包括衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一导电金属层、DBR反射层、第二导电金属层、绝缘保护层及键合金属层； 其中，所述第一导电金属层包括第一N型导电金属与第一P型导电金属，在单个所述发光二极管芯片内，所述第一N型导电金属与所述第一P型导电金属的数量比为1：2-1：30； 其中，所述第一N型导电金属与所述第一P型导电金属的直径为3-40μm，所述第一N型导电金属与所述第一P型导电金属的横向及纵向中心间距为30-200μm，所述第一导电金属层的面积总和为所述发光二极管芯片的面积的1%-15%。
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