上海华力微电子有限公司朱天志获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种高压NPN三极管型防静电保护器件及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210190759.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高压NPN三极管型防静电保护器件及其实现方法是由朱天志设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压NPN三极管型防静电保护器件及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压NPN三极管型防静电保护器件及其实现方法，所述方法在P阱30中增加高浓度N型掺杂24，并将所述P阱30的接出点高浓度P型掺杂26移到N阱20与P阱30界面处，使得高浓度P型掺杂26位于高浓度N型掺杂24和N阱20与P阱30的界面之间，降低电子从高浓度N型掺杂24注入P阱30并迁移到达N阱20与P阱30界面的几率，从而得到所述高压NPN三极管型防静电保护器件。
本发明授权一种高压NPN三极管型防静电保护器件及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种高压NPN三极管型防静电保护器件，其特征在于，所述高压NPN三极管型防静电保护器件包括： 半导体衬底80； 在所述半导体衬底80上生成的N阱20与P阱30； 在所述N阱20和所述P阱30的界面处上部生成的浅沟道隔离层10，高浓度N型掺杂22置于所述N阱20上部靠近浅沟道隔离层10，高浓度P型掺杂26置于所述P阱30上部靠近浅沟道隔离层10，高浓度N型掺杂24与高浓度P型掺杂26相距设定距离置于P阱30上部； 在所述高浓度N型掺杂22的上方、高浓度P型掺杂26和高浓度N型掺杂24的上方分别生成的金属硅化物40； 在所述高浓度N型掺杂22上方的金属硅化物40引出电极组成所述高压NPN三极管型防静电保护器件的阳极，在高浓度N型掺杂24的上方的金属硅化物40与高浓度P型掺杂26上方的金属硅化物40相连并引出电极组成所述高压NPN三极管型防静电保护器件的阴极。
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