买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种高速低功耗高压驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114629492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210236072.0，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种高速低功耗高压驱动电路是由谭在超;张胜;罗寅;丁国华设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速低功耗高压驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高速低功耗高压驱动电路，包括N型DMOS管N1、P型DMOS管P1、稳压管D1、反相器驱动电路X1，X2，X3、低压NMOS管N2，N3，N5，N7，N8、高压NMOS管N4，N6、低压PMOS管P2，P3，P4，P5，电阻R1，R2，R3及电容C1，C2，低压PMOS管P4的源端连接高压NMOS管N4的源端，低压PMOS管P4的漏端连接低压NMOS管N7的漏端，低压PMOS管P5的源端连接高压NMOS管N6的源端，低压PMOS管P5的漏端连接低压NMOS管N8的漏端，本发明电路结构简单，与常用的高压驱动电路相比只增加了非常少的器件，应用成本低。

本发明授权一种高速低功耗高压驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种高速低功耗高压驱动电路，其特征在于，所述电路包括N型DMOS管N1、P型DMOS管P1、稳压管D1、由反相器X1、反相器X2和反相器X3组成的反相器驱动电路、低压NMOS管N2、低压NMOS管N3、低压NMOS管N5、低压NMOS管N7、低压NMOS管N8、高压NMOS管N4、高压NMOS管N6、低压PMOS管P2、低压PMOS管P3、低压PMOS管P4、低压PMOS管P5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1及电容C2，稳压管D1和电阻R1连接于P型DMOS管P1的栅端； 所述低压PMOS管P4的栅端连接所述电阻R2，所述低压PMOS管P4的源端连接所述高压NMOS管N4的源端，所述低压PMOS管P4的漏端连接所述低压NMOS管N7的漏端； 所述低压PMOS管P5的栅端连接所述电阻R3，所述低压PMOS管P5的源端连接所述高压NMOS管N6的源端，所述低压PMOS管P5的漏端连接所述低压NMOS管N8的漏端， 反相器驱动电路连接IN信号，INB信号为IN信号的反相信号，INE信号是INB信号的反相信号，所述高压NMOS管N4的栅端接INB信号，所述电阻R2连接所述高压NMOS管N4的栅端，所述高压NMOS管N4的源端接低压NMOS管N3，所述高压NMOS管N6的栅端接INE信号，所述电阻R3连接所述高压NMOS管N6的栅端，所述高压NMOS管N6的源端接低压NMOS管N5， 所述高压NMOS管N4的漏端连接低压PMOS管P2，所述高压NMOS管N6的漏端连接低压PMOS管P3，所述低压PMOS管P2与低压PMOS管P3栅端相连， 当信号INE为高电平，INE的高电平信号经由电阻R3给电容C2充电，电阻R3和电容C2的值满足：R3*C2=5n，其中n为1E-9， 当信号INB为高电平时，INB的高电平信号经由电阻R2给电容C1充电，电阻R2和电容C1的值满足R2*C1=5n，其中n为1E-9， 当所述P型DMOS管P1的寄生栅电容为10pF时，Pgate的电压翻转时间小于1nS。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州锴威特半导体股份有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。