台湾积体电路制造股份有限公司陈泰佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于全方位实时检测光刻特性的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114675499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210158885.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权用于全方位实时检测光刻特性的系统和方法是由陈泰佑;简上杰;余升刚;陈立锐;刘恒信设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于全方位实时检测光刻特性的系统和方法在说明书摘要公布了：本公开总体涉及用于全方位实时检测光刻特性的系统和方法。一种极紫外EUV光刻系统通过用激光照射液滴来生成EUV光。该系统包括收集器以及耦合到收集器的多个振动传感器。振动传感器生成指示来自激光脉冲的冲击波和来自碎片的撞击的传感器信号。该系统利用传感器信号来提高EUV光生成的质量。
本发明授权用于全方位实时检测光刻特性的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种操作极紫外光刻系统的方法，包括： 通过在极紫外光生成室中生成极紫外光来执行光刻工艺，其中，生成极紫外光包括：通过在所述极紫外光生成室内从液滴生成等离子体来生成极紫外光； 利用耦合到所述极紫外光生成室的多个振动传感器生成传感器信号，其中，所述多个振动传感器耦合到所述极紫外光生成室的收集器反射镜； 分析所述传感器信号；以及 基于所述传感器信号来调整极紫外光生成的参数， 其中，所述方法还包括： 基于所述传感器信号检测所述收集器反射镜上的液滴碎片的分布；以及 根据所述液滴碎片的分布确定所述等离子体的特性。
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