中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李龙范获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利栅极及MOSFET的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011552287.0，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权栅极及MOSFET的制造方法是由李龙范;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武;罗军设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极及MOSFET的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种栅极及半导体装置的制造方法，提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述半导体衬底上依次形成未掺杂的第一多晶硅层、碳掺杂的第二多晶硅层；使用氮化物对所述第二多晶硅层的表面进行等离子体处理；对所述第二多晶硅层进行P型离子注入；对所述第二多晶硅层、第一多晶硅层和栅介质层进行刻蚀以形成栅堆叠。本实施例使用NH3气体对碳掺杂的栅极多晶硅层的表面进行原位掺杂，形成氮化物保护层，避免BF3中的F对栅极多晶硅层造成的凹陷，提高了器件的良率。
本发明授权栅极及MOSFET的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成栅介质层； 在所述半导体衬底上依次形成未掺杂的第一多晶硅层、碳掺杂的第二多晶 硅层； 使用氮化物对所述第二多晶硅层的表面进行等离子体处理，形成氮化物保护层；其中，所述氮化物选自NH3；使用氮化物对所述第二多晶硅层的表面进行原位等离子体处理的温度大于500℃； 对所述第二多晶硅层进行P型离子注入；其中，所述P型离子注入为硼离子注入；使用BF3或B2H6对所述第二多晶硅层进行硼离子注入；所述硼离子注入能量为0.5KeV～10KeV； 对所述第二多晶硅层、第一多晶硅层和栅介质层进行刻蚀以形成栅堆叠。
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