长江存储科技有限责任公司张进龙获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利非易失性三维存储器、存储系统及其读取方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114694714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210269508.6,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权非易失性三维存储器、存储系统及其读取方法是由张进龙;朱俊瑶;陈轶;黄雪青;陈沛丞设计研发完成,并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性三维存储器、存储系统及其读取方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种非易失性三维存储器、存储系统及其读取方法,非易失性三维存储器包括多个存储单元串,每个存储单元串包括多个存储单元和漏极选择栅极晶体管,读取方法包括:在所述非易失性三维存储器的空闲阶段之后,根据接收的n次读取命令,对选定存储单元串包括的选定存储单元执行n次读取操作,n≥2且为正整数,其中,在执行n次读取操作期间,控制未选定存储单元串的漏极选择栅极晶体管在第一次读取操作的预脉冲恢复阶段从导通到关断的时间比在其余n‑1次读取操作的任一预脉冲恢复阶段从导通到关断的时间长,从而能够改善存储单元阈值电压的偏移,降低第一次读取的失败比特币数。
本发明授权非易失性三维存储器、存储系统及其读取方法在权利要求书中公布了:1.一种用于非易失性三维存储器的读取方法,所述非易失性三维存储器包括多个存储单元串,每个所述存储单元串包括多个存储单元和漏极选择栅极晶体管,其特征在于,所述方法包括: 在所述非易失性三维存储器的空闲阶段之后,根据接收的n次读取命令,对选定存储单元串包括的选定存储单元执行n次读取操作,n≥2且为正整数, 其中,在执行所述n次读取操作期间,控制未选定存储单元串的漏极选择栅极晶体管在第一次读取操作的预脉冲恢复阶段从导通到关断的时间比在其余n-1次读取操作的任一预脉冲恢复阶段从导通到关断的时间长。
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