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龙图腾网获悉广东佛智芯微电子技术研究有限公司申请的专利一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210292092.X，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法是由杨斌;贺姝敏;张鸿平;何键豪;刘宇;单欣设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。其中，基于薄膜电容的扇出型封装基板结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供薄膜电容，薄膜电容由电容层和位于电容层两侧的第一铜箔层和第二铜箔层组成；S20、在电容层一侧制作第一线路结构并贴装ASIC芯片和电阻；S30、在电容层远离第一线路层的一侧制作第二线路结构，并使第一线路结构与第二线路结构电连接，制得基板；S40、对基板开声孔处理，制得基于薄膜电容的扇出型封装基板结构。本发明采用薄膜电容通过扇出技术将ASIC芯片封装成基板以替代传统的PCB，从而实现埋阻、MEMS芯片的承载以及声音传递，并能提高产品良率、产品使用寿命，且能简化工艺，降低生产成本。

本发明授权一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜电容的扇出型封装基板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、提供薄膜电容，所述薄膜电容由电容层和位于所述电容层两侧的第一铜箔层和第二铜箔层组成，将所述第二铜箔层贴于载板上； S20、在所述电容层一侧制作第一线路结构并贴装ASIC芯片和电阻； S30、在所述电容层远离所述第一线路结构的一侧制作第二线路结构，并使所述第一线路结构与所述第二线路结构电连接，制得基板； S40、对所述基板开声孔处理，制得基于薄膜电容的扇出型封装基板结构； 其中，步骤S20具体包括以下步骤： S20A、将所述第一铜箔层制成图形化的第一线路层并贴装ASIC芯片、塑封，形成包覆所述ASIC芯片的塑封层，其中，所述ASIC芯片的IO口与所述ASIC芯片的表面平齐； S20B、对所述塑封层及所述电容层进行开孔处理，形成使所述ASIC芯片的IO口外露的第一孔结构和使所述第一线路层部分外露以及使所述第二铜箔层部分外露的第二孔结构； S20C、提供电阻，将所述电阻贴于所述塑封层上； S20D、在所述第一孔结构处制作连接柱以及在所述塑封层表面、所述电阻表面以及所述第二孔结构内制作图形化的第二线路层，制得第一线路结构； 或者，步骤S20具体包括以下步骤： S20A、将所述第一铜箔层制成图形化的第一线路层并贴装自带铜柱的ASIC芯片、塑封，形成包覆所述ASIC芯片的塑封层，对所述塑封层减薄处理，使所述ASIC芯片的铜柱与所述塑封层的表面平齐； S20B、对所述塑封层及所述电容层进行开孔处理，形成使所述第一线路层部分外露以及使所述第二铜箔层部分外露的第二孔结构； S20C、提供电阻，将所述电阻贴于所述塑封层上； S20D、在所述塑封层表面、所述电阻表面以及所述第二孔结构表面制作图形化的第二线路层，制得第一线路结构。

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