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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011601234.3，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权启动电路是由宫志超设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本启动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种启动电路，包括：启动模块，用于在使能信号有效的情况下提供启动电压；延迟模块，与启动模块连接，用于在使能信号由有效状态切换至无效状态时，控制启动模块于预设时长内继续提供启动电压。因此，该启动电路可以基于延迟模块实现电路的延迟关闭，且延迟时长可控。

本发明授权启动电路在权利要求书中公布了：1.一种启动电路，其中，包括： 启动模块，用于在使能信号有效的情况下提供启动电压； 延迟模块，与所述启动模块连接，用于在所述使能信号由有效状态切换至无效状态时，控制所述启动模块于预设时长内继续提供所述启动电压； 其中，所述启动模块包括： 第一晶体管，栅极通过第一电阻接收所述使能信号，源极与参考地连接； 第二晶体管，源极通过第五电阻与电源端连接，栅极通过第四电阻与所述第一晶体管的漏极连接； 第三电阻，连接于电源端与所述第二晶体管的栅极之间； 第一齐纳二极管，阴极与电源端连接，阳极与所述第二晶体管的栅极连接； 第三晶体管，漏极与电源端连接，栅极与所述第二晶体管的漏极连接，源极通过第七电阻与参考地连接； 第一电容，连接于所述第三晶体管的栅极与参考地之间； 第六电阻，连接于所述第三晶体管的栅极与参考地之间； 第二齐纳二极管，阴极与所述第三晶体管的栅极连接，阳极与参考地连接； 第二电容，连接于所述第三晶体管的源极与参考地之间， 其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管均为NMOS晶体管，所述第二晶体管为PMOS晶体管，且所述第三晶体管的源极与所述启动电压输出端连接； 所述延迟模块包括： 控制单元，用于在所述使能信号由有效状态切换至无效状态的情况下产生无效的输入信号，以及用于根据有效的控制信号控制所述启动模块提供所述启动电压； 延迟单元，与所述控制单元连接，用于在所述输入信号由有效状态切换至无效状态时，于预设时长内产生有效的所述控制信号； 以及，所述控制单元包括： 第四晶体管，栅极接收所述控制信号，漏极通过所述第四电阻与所述第二晶体管的栅极连接，源极与参考地连接； 第五晶体管，栅极通过所述第一电阻接收所述使能信号，漏极通过第九电阻与所述启动电压输出端连接，源极与参考地连接； 反相器，输入端与所述第五晶体管的漏极连接，输出端输出所述输入信号，其中，所述第四晶体管和所述第五晶体管均为NMOS晶体管； 或者，所述控制单元包括： 第六晶体管，栅极接收所述控制信号，漏极通过所述第四电阻与所述第二晶体管的栅极连接，源极与参考地连接，其中，所述第六晶体管为NMOS晶体管，且所述使能信号为所述输入信号。

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