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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装发光二极管芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210279142.0，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种倒装发光二极管芯片及制备方法是由李文涛;鲁洋;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装发光二极管芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及制备方法，该芯片包括：衬底与外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、有源层与P型半导体层；所述芯片还包括欧姆接触层、电流阻挡层、布拉格反射层、电流扩展层、绝缘保护层、导电金属层与键合金属层；其中，所述布拉格反射层包括15‑40组第一折射材料与第二折射材料交替层叠的材料组，所述第一折射材料与所述第二折射材料中的一个为高折射率材料，所述第一折射材料与所述第二折射材料中的另一个为低折射率材料。本发明通过在布拉格反射层中设置第一折射材料与第二折射材料交替层叠的材料组，旨在降低倒装发光二极管芯片的制作成本，以解决现有的倒装芯片生产成本高，性价比优势小的问题。

本发明授权一种倒装发光二极管芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括： 衬底与外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、有源层与P型半导体层； 所述芯片还包括欧姆接触层、电流阻挡层、布拉格反射层、电流扩展层、绝缘保护层、导电金属层与键合金属层； 其中，所述布拉格反射层包括15-40组第一折射材料与第二折射材料交替层叠的材料组，所述第一折射材料与所述第二折射材料中的一个为高折射率材料，所述第一折射材料与所述第二折射材料中的另一个为低折射率材料； 所述电流阻挡层上设有电流阻挡层通孔，所述布拉格反射层上设有布拉格反射层通孔，所述电流阻挡层通孔与所述布拉格反射层通孔的正向投影一致； 所述欧姆接触层上设有欧姆接触层通孔，所述欧姆接触层通孔的正向投影位于多个所述布拉格反射层与所述电流阻挡层的叠合通孔的正向投影之间，使所述电流阻挡层的部分嵌入所述欧姆接触层通孔内； 所述电流扩展层的至少部分通过电流阻挡层及布拉格反射层的叠合通孔与所述欧姆接触层接触以形成与所述P型半导体层的电性连接。

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