江西兆驰半导体有限公司李美玲获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210279138.4，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权LED芯片及其制备方法是由李美玲;张星星;简宏安;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片从下而上依次包括：衬底层、外延层、N型GaN层、P型GaN层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层以及绝缘保护层，其中：透明导电层的顶面设有多个孔洞，绝缘保护层将透明导电层的顶面至少部分覆盖，孔洞位置对应的透明导电层厚度为非孔洞位置对应的透明导电层厚度的0.2‑0.8倍，孔洞位置对应的绝缘保护层厚度为非孔洞位置对应的绝缘保护层厚度的0‑0.8倍。本发明提出的LED芯片，通过在透明导电层的顶面设置多个孔洞，以控制透明导电层和绝缘保护层在整体厚度不变的情况下局部开孔变薄，在保证LED芯片能量损耗较低的情况下，进一步提高了芯片的发光率。
本发明授权LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下而上依次包括：衬底层、外延层、N型GaN层、P型GaN层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层以及绝缘保护层，其中： 所述透明导电层的顶面设有多个孔洞，所述绝缘保护层将所述透明导电层的顶面至少部分覆盖，所述孔洞位置对应的透明导电层厚度为非孔洞位置对应的透明导电层厚度的0.2-0.8倍，所述孔洞位置对应的绝缘保护层厚度为非孔洞位置对应的绝缘保护层厚度的0-0.8倍； 所述孔洞的直径范围为2-10um，所述孔洞之间的间距为2-10um。
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