江西兆驰半导体有限公司孙嘉玉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210284291.6，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种发光二极管及其制备方法是由孙嘉玉;简弘安;胡加辉设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括GaN层和沉积在所述GaN层上的透明绝缘膜层，所述透明绝缘膜层用于对电流进行阻挡，所述GaN层包括平坦区以及在所述平坦区上开设的电流传导部，所述电流传导部包括远离所述透明绝缘膜层一端凹陷的平台以及将所述平坦区和所述平台连接的侧壁，其中，在所述平台的外圈、所述侧壁以及靠近所述侧壁的所述平坦区上沉积有所述透明绝缘膜层。通过本发明能够有效均匀扩散电流，从而提升了LED芯片的亮度，另外，由于电流被均匀扩散，有效改善了芯片在使用过程中热量堆积现象，从而还可以达到延长芯片使用寿命的目的。
本发明授权一种发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括GaN层和沉积在所述GaN层上的透明绝缘膜层，所述透明绝缘膜层用于对电流进行阻挡，所述GaN层包括平坦区以及在所述平坦区上开设的电流传导部，所述电流传导部包括远离所述透明绝缘膜层一端凹陷的平台以及将所述平坦区和所述平台连接的侧壁，其中，在所述平台的外圈、所述侧壁以及靠近所述侧壁的所述平坦区上沉积有所述透明绝缘膜层； 所述发光二极管还包括蓝宝石衬底、绝缘层和接触层，所述GaN层沉积在所述蓝宝石衬底上，所述绝缘层部分沉积在所述透明绝缘膜层上，所述接触层沉积在所述电流传导部、所述透明绝缘膜层以及所述绝缘层上，所述透明绝缘膜层的截面上窄下宽，为一凸起台阶； 沉积在所述平坦区上的所述透明绝缘膜层的边界与所述平台的边界之间的距离为3μm~8μm； 沉积在所述平台上的所述透明绝缘膜层的边界与所述侧壁的边界之间的距离为3μm~8μm。
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