珠海越亚半导体股份有限公司陈先明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利嵌埋元器件封装基板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724964B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210195720.2，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权嵌埋元器件封装基板的制作方法是由陈先明;林文健;黄高;黄本霞设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌埋元器件封装基板的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括：a制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；b制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；c通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；d在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。
本发明授权嵌埋元器件封装基板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括如下步骤： a制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层； b制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐； c通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合； d在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。
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